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活性离子蚀刻(RIE)

反应离子蚀刻(RIE)是一种简单的操作和经济的解决方案,一般等离子体蚀刻。单个射频等离子体源决定了离子密度和能量。

我们的RIE模块提供各向异性干法蚀刻
广泛的过程范围。


黎

集锦

蚀刻工艺的多种选择:

  • 化学蚀刻-各向同性,速度快
  • 离子诱导蚀刻-各向异性,介质速率
  • 物理蚀刻-各向异性,慢速
  • 在半导体去万博电脑网页版登录加工和失效分析中的广泛应用
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RIE特点:

  • 固态射频发生器和紧密耦合匹配网络,实现快速一致的蚀刻
  • 全面积工艺气体入口淋浴头,实现均匀气体分布
  • 温度为-150ºC至+400ºC的电极
  • 泵送能力高,工艺压力窗口宽
  • 带He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳晶圆温度控制

可蚀刻多种材料,包括:

  • 介电材料2.x等)。
  • 硅基材料(Si, a-Si, polysi)
  • III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
  • 溅射金属(金、铂、钛、钽、钨等)
  • 类金刚石碳(DLC)
PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
PlasmaPro 100
电极的大小 240毫米 460毫米 240毫米
加载 空载
装入锁定或盒式磁带
基质 高达240毫米
高达460毫米
200mm带载体可用于多晶片或小片
MFC控制的输气管线 8或12管路气箱可用
晶片级温度范围 -150°C到400°C
10°C到80°C -150°C到400°C
他选择了背面冷却 是的 是的
ICP期权 是的 是的
聚焦等离子体 是的

我们有幸与伦敦大学学院博士后Oscar Kennedy博士和伦敦大学学院高级研究员Wing Ng博士讨论了他们最新的研究项目,以及他们如何使用我们的PlasmaPro®80 RIE系统。

Oscar Kennedy博士使用PlasmaPro RIE系统通过蚀刻超导NbN薄膜来创建超导电路,而Wing Ng博士使用RIE系统精确地绘制出50 nm的间隙,在一对波导之间形成光滑的侧壁,用于芯片的光缓冲器。阅读案例研究了解更多。

下载PlasmaPro 80宣传册
下载PlasmaPro 100小册子
下载PlasmaPro 800手册

RIE系统