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我们引入一个独特的专利方法实现平滑,低缺陷密度碳化硅衬底表面。等离子体抛光干蚀刻(PPDE)过程已经证明实现sub-nm表面平滑,使低缺陷密度外延生长在150毫米和200毫米碳化硅晶片。
碳化硅衬底表面质量是起点epi的质量,影响设备性能、可靠性和寿命。实现最优的表面很难由于碳化硅的硬度和用于切片的方法和薄的晶圆开始立法会议。适当调节表面是至关重要的,使产量和生产性能。
等离子体抛光干蚀刻是一个建立在前端处理技术处理半导体制造业高容量。狗万正网地址牛津仪器开发和专利流程和设备适应,提供一个全面的金刚砂抛光解决方案和交付所需的表面材质原文如此高容量生产。
下载应用程序简短等离子体抛光干蚀刻技术使您能够:
150毫米碳化硅晶片现在标准和行业正在200毫米在不久的将来。我们的过程是可伸缩的,提供相同的结果的碳化硅基板晶片的大小无关。搬到更大的晶片大小支持单一晶片处理批处理。这允许行业标准晶片处理的方法,监测和控制应用减少touch-time,增加产量和效率。
晶圆研磨和CMP需要一系列步骤使用不同的毅力,提高表面质量。这个化学机械过程会导致应变基质增加破损和薄片的损失。粒子表面留下划痕,擦伤原文如此。等离子体抛光干蚀刻是一个非接触式的过程使用电离气体选择性地去除碳化硅,提供高表面质量,减少基板损伤。
等离子体抛光干蚀刻取代了CMP方法在SiC过程线。
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使用泥浆组件的化学机械加工可以显著增加了运行费用。PPDE提供了一个非常有吸引力的低运营成本和更清洁的替代昂贵的和有毒化学物质强化CMP过程接近零附近时晶片破损的水平
狗万正网地址牛津仪器等离子抛光干蚀刻过程使薄切片行业路线图实现晶圆/议会进一步增加支持所需的行业成本降低路线图。
下载应用程序简短干净的水被公认为在全球范围内成为宝贵和稀少,这是我们有生之年的主要环境问题之一。
等离子体处理半导体HVM晶圆厂内标准建立和控制方法处理废气严格的环境标准。工厂用于等离子体处理的水再循环供应不断回收和重用。
CMP需要大量的水稀释和处置产生的泥浆和有毒化学废水过程中,大量的成本和复杂性在运行大型HVM洁净室设备。
等离子体蚀刻已经证明提供所需的高质量底物完成epi缺陷最小化和最大化SiC设备性能。我们已经开发出一种创新的盒式磁带等离子体过程解决方案,提供最佳的碳化硅衬底表面质量。
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