在ICP源中产生高密度等离子体意味着该技术可以在低温下低损伤地沉积高质量的介质薄膜。低温沉积意味着可以成功地加工温度敏感的薄膜和器件。
我们的ICP CVD工艺模块设计用于生产高
低沉积的高密度等离子体质量薄膜
压力和温度。
PlasmaPro 80 | PlasmaPro 100 | ||
电极的大小 | 240毫米 | ||
晶片大小 | 200毫米 | ||
加载 | 打开负载 | 负载锁定或盒式 | |
基板 | 50毫米晶片 | 高达200mm的载体可用于多晶片或小片 | |
掺杂物 | 没有 | 可提供各种掺杂剂,包括PH3, B2H6, GeH4 |
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液体前驱 | 没有 | 是的 | |
MFC控制的气体管道 | 8或12管路气箱可用 | ||
晶片级温度范围 | 20°C到400°C | 0°C到400°C | |
原位等离子体清洗 | 是的 |
我们开发的ICPCVD清洗制度是为了在机械清洗之间提供可重复沉积和低颗粒