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电感耦合等离子体蚀刻

ICP - RIE蚀刻技术是一种先进的蚀刻技术,具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤处理的特点。由于等离子体可以保持在低压下,因此也提供了良好的剖面控制。

眼镜蛇®ICP源产生均匀的高密度等离子体,能够在低压下工作。基片直流偏压由单独的射频发生器独立控制,允许控制离子能量,根据特定的工艺要求提供卓越的结果。


ICP蚀刻系统技术示意图

关键好处

  • 独特的宽温度范围电极从-150ºC到+400ºC,范围广泛的工艺解决方案,广泛的材料和设备
  • 高离子密度(>1011 cm3)和高自由基密度实现高蚀刻速率
  • 源设计为优秀的交叉晶圆均匀性
  • 控制选择性和低离子能量造成的损伤
  • 在低压处理下,具有高密度的活性物质,具有良好的剖面控制能力
  • 通过单独的基片直流偏压控制来独立控制离子能量
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  • 用于led或激光器和功率器件的氮化镓蚀刻
  • 具有光滑蚀刻表面的垂直磷化铟(InP)波导
  • 非选择性GaAs/AlGaAs,实现了VCSEL的光滑侧壁
  • 精确的VCSEL台面蚀刻,具有卓越的蚀刻深度控制
  • 高选择性GaAs/AlGaAs用于光电子学
  • 波导的氧化物蚀刻
  • 故障分析应用,删除:万博电脑网页版登录
    • 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物(钝化),
    • 各向异性氧化物(IMD / ILD)
    • 氧化性能
    • 铝和铜
    • 背后批量如果

特性

  • 独立的射频和ICP发生器提供了对离子能量和离子密度的独立控制,实现了高工艺灵活性
  • 化学和离子诱导蚀刻
  • 也可以在RIE模式下运行某些低蚀刻速率的应用万博电脑网页版登录
  • 可用于ICP-CVD模式下的沉积
  • 高导泵浦端口提供高气体吞吐速度最快
  • 静电屏蔽消除电容耦合,减少对设备的电损伤,减少室粒子
  • 以夹紧和氦冷却为标准,提供了良好的温度控制和宽温度范围的选择

具有光滑侧壁和干净表面的InP的ICP蚀刻

InP的ICP蚀刻,显示光滑的侧壁和干净的蚀刻表面

采用Cr掩膜的二氧化硅波导的ICP蚀刻

采用Cr掩膜的二氧化硅波导的ICP蚀刻

硬件


PlasmaPro 80
PlasmaPro 100 PlasmaPro北极星
电极的大小 240毫米
加载 打开负载
装入锁或盒式磁带
装入锁或盒式磁带
晶片大小 高达50mm(2”)* 200毫米 200毫米
MFC控制的气体管道 8或12管路气箱可用 3-5紧密耦合的气体管道,可选择8-12外部 8或12管路气箱可用
晶片级温度范围 -150 - 400ºC
请求ICP蚀刻系统的价格

ICP刻蚀系统

80年PlasmaPro ICP
PlasmaPro 100眼镜蛇ICP
PlasmaPro 100 Polaris ICP

PlasmaPro 80

  • 良好的晶片温度均匀性
  • 可容纳高达200mm的晶圆
  • 优化电极冷却

100年PlasmaPro眼镜蛇

  • 反应物质的高密度
  • 宽温度范围电极,-150°C至400°C
  • 应用于广泛的市场

100年PlasmaPro北极星

  • 高通量和卓越的蚀刻结果
  • 高密度等离子蚀刻源
  • 增强的离子控制和均匀性
下载PlasmaPro 80宣传册
下载PlasmaPro 100宣传册
下载北极星小册子

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