ICP - RIE蚀刻技术是一种先进的蚀刻技术,具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤处理的特点。由于等离子体可以保持在低压下,因此也提供了良好的剖面控制。
的眼镜蛇®ICP源产生均匀的高密度等离子体,能够在低压下工作。基片直流偏压由单独的射频发生器独立控制,允许控制离子能量,根据特定的工艺要求提供卓越的结果。
InP的ICP蚀刻,显示光滑的侧壁和干净的蚀刻表面
采用Cr掩膜的二氧化硅波导的ICP蚀刻
PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 100 | PlasmaPro北极星 | |
电极的大小 | 240毫米 | ||
加载 | 打开负载 |
装入锁或盒式磁带 |
装入锁或盒式磁带 |
晶片大小 | 高达50mm(2”)* | 200毫米 | 200毫米 |
MFC控制的气体管道 | 8或12管路气箱可用 | 3-5紧密耦合的气体管道,可选择8-12外部 | 8或12管路气箱可用 |
晶片级温度范围 | -150 - 400ºC |