牛津仪器集团的一部分狗万正网地址
深反应离子硅蚀刻(DRIE)，或深硅蚀刻(DSiE)，是一种高度各向异性的蚀刻工艺，用于在晶片/衬底上创建深、陡边孔和沟槽，通常具有高纵横比。
的Estrelas®DSiE系统提供了最终的工艺灵活性，为微电子机械系统(MEMS)、先进封装和纳米技术市场的多个工艺解决方案提供服务。
在微电子机械系统(MEMS)制造中用于实现深蚀刻的两种技术是博世技术和低温工艺。多年来的系统和过程开发使技术得以发展，但每个技术的基本方面保持不变:
博世工艺使用氟基等离子体化学来蚀刻硅，结合氟碳等离子体工艺来提供侧壁钝化和提高蚀刻掩膜的选择性。一个完整的蚀刻过程在蚀刻和沉积步骤之间循环多次，以实现深、垂直的蚀刻剖面。它依赖于源气体在到达晶圆之前在高密度等离子体区域被分解。
这种技术不能在反应性离子蚀刻系统(RIE)中进行，因为这些系统的离子和自由基的平衡是错误的。这种平衡可以在高密度等离子体系统(HDP)中实现。最广泛使用的HDP形式使用电感耦合来产生高密度等离子体区域，因此被称为“电感耦合等离子体”(ICP)。
高速率受控扇贝，例如微流体(200mm深度)、通孔(> 400 mm深度)
使用博世工艺制作的微针
就像Bosch工艺一样，该技术也使用SF6提供氟自由基用于硅蚀刻。硅以SiF4的形式被去除，它是易挥发的。
主要的区别在于侧壁钝化和掩膜保护的机理。这一过程不是使用氟碳聚合物，而是依赖于在侧壁上形成一层氧化物/氟化物(SiOxFy)(厚度约为10-20nm)，这是在使用的低温下形成的，该层可抑制氟自由基对底层硅层的攻击。
低温和低偏置操作也有助于降低掩膜材料的蚀刻率，该材料通常是光刻胶或二氧化硅。
使用低温工艺制作的微型模具
如果波导腐蚀
光滑的侧壁低温DSE(无扇贝)。
礼貌你特文特
©O狗万正网地址xford Instruments 2021
