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硅的深反应离子蚀刻（DRIE）或深硅蚀刻（DSiE）是一种高度各向异性的蚀刻工艺，用于在晶圆/衬底上形成深、陡边孔和沟槽，通常具有高纵横比。
这个Estrelas®DSiE系统提供终极的工艺灵活性，服务于微电子机械系统（MEMS）、先进封装和纳米技术市场的多种工艺解决方案。
在微电子机械系统(MEMS)制造中用于实现深蚀刻的两种技术是博世技术和低温工艺。多年来的系统和过程开发使技术得以发展，但每个技术的基本方面保持不变:
Bosch工艺使用氟基等离子体化学蚀刻硅，结合氟碳等离子体工艺提供侧壁钝化并提高蚀刻掩模的选择性。一个完整的蚀刻工艺在蚀刻和沉积步骤之间循环多次，以获得深度垂直蚀刻轮廓。它依赖于源气体在到达晶圆之前在高密度等离子体区域被分解。
这种技术不能在反应性离子蚀刻系统(RIE)中进行，因为这些系统的离子和自由基的平衡是错误的。这种平衡可以在高密度等离子体系统(HDP)中实现。最广泛使用的HDP形式使用电感耦合来产生高密度等离子体区域，因此被称为“电感耦合等离子体”(ICP)。
高速率受控扇贝，例如微流体(200mm深度)、通孔(> 400 mm深度)
使用Bosch工艺创建的微针
就像Bosch工艺一样，该技术也使用SF6提供氟自由基用于硅蚀刻。硅以SiF4的形式被去除，它是易挥发的。
主要区别在于侧壁钝化和掩模保护的机理。该工艺不使用氟碳聚合物，而是依赖于在侧壁（约10-20nm厚）上形成氧化物/氟化物（SiOxFy）阻挡层，该阻挡层在所用低温下形成，并且该层抑制氟自由基对底层硅层的侵蚀。
低温和低偏置操作也有助于降低掩膜材料的蚀刻率，该材料通常是光刻胶或二氧化硅。
使用冷冻工艺制作的微型模具
硅波导刻蚀
光滑的侧壁低温DSE(无扇贝)。
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