化学气相沉积

CVD是一种成熟的技术，用于沉积各种不同成分和厚度的薄膜，直至单层原子。

CVD系统腔的深度图

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突出了

衬底直接置于电极上，电极可加热至1200˚C
气体通过顶部电极的“喷头”气体入口注入工艺室
用于新型工艺的固体/液体前驱体递送系统，如二维材料MOCVD, ZnO纳米线CVD等。
自动加载锁定，将样品直接转移到热台，节省加热和冷却时间。
等离子体增强选项，用于低温沉积或等离子体辅助转换或功能化以及腔室清洗。
在同一腔内可进行多种工艺处理
PlasmaPro®100纳米是一种用于高质量沉积纳米结构材料和硅基薄膜的高温CVD/PECVD系统。

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高达1200˚C的台面温度
直接和远程等离子体增强选项
操作压力高达5torr(可能更高)
带有端点控制的干等离子清洗过程，可消除或减少物理/化学室清洗的需要
多个加热/冷却液体/固体前体输送系统，以及12条气体输送管道。
提供广泛的材料沉积，包括:

硅基PECVD/ICP CVD工艺和高温CVD工艺在同一室
一维材料的生长，如碳纳米管，氧化锌纳米线和硅纳米线
二维材料生长，如石墨烯，hBN, MoS₂/ WS₂和其他过渡金属二卤族(TMDCs)

操作中的CVD过程图像，远程等离子体

铜箔上的石墨烯畴。(在胶片完成之前，生长停滞，以在扫描电镜中显示域)

铜箔上的石墨烯畴

hBN的CVD生长

hBN化学汽相淀积

金属氧化物的CVD生长₂

金属氧化物半导体₂化学汽相淀积

多的2 d材料……

PlasmaPro 100纳米	700°C表	800°C表	1200°C表
薄膜的过程	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi*	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi
一维纳米材料	多壁碳纳米管，硅，锗纳米管，ZnO纳米管	多壁碳纳米管，单壁碳纳米管，硅，锗，ZnO纳米管	多壁碳纳米管，单壁碳纳米管，硅，锗，ZnO纳米管
二维纳米材料	NA	NCG,垂直的石墨烯	垂直石墨烯，BN, MoS₂ CVD石墨烯

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化学汽相淀积系统