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原子层沉积（或ALD）是一种高级沉积技术，它允许以精确控制的方式沉积一些纳米的超薄膜。ALD不仅提供了良好的厚度控制和均匀性，而且可以用相同的涂层覆盖3D结构。
ALD依赖于自限制的表面反应，因此通常提供非常低的针孔和颗粒水平，这可以受益于广泛的应用。万博电脑网页版登录对于许多应用，人们都在寻找胶片和界面控制和高胶片质量的水平。万博电脑网页版登录血浆的使用允许改善膜性能，控制层和广泛的可能材料。独特的表面预处理的灵活性可用于低损伤处理。
原子层沉积通常涉及4个步骤的循环，该循环根据需要重复多次重复，以实现所需的沉积厚度。该示例显示了Al的ALD2o3使用al（ch3），（TMA）和O2等离子体。
步骤1）用TMA的前体蒸气对基板进行剂量，该蒸气吸附并与表面反应。通过正确选择前体和参数，该反应是自限制的。
第2步）清除所有残留前体和反应产物。
步骤3）低损伤的远程血浆暴露于表面上，活性氧自由基氧化表面并去除表面配体，由于表面配体数量有限，该反应是自限制的。
第4步）反应产物从腔室清除。
仅步骤3在H之间变化2o用于热过程或O2等离子体。当ALD工艺沉积A（子）埃（亚）埃静态厚度时，对沉积过程的控制是在原子量表下获得的。
第一循环
清除
第二个半环
清除
除了热ALD的好处外，Peald还可以选择具有增强膜质量的前体化学选择：
高速覆盖（15：1）的结构涂层具有高速血浆ALD SIO的结构2
AL2O3由Flexal Ald存入 - Eindhoven技术大学提供
SIO的保形沉积2，tio2和Al2o3由等离子体ALD，（CC由4.0许可证），图像库www.atomiclimits.com，2021
| 挠性 |
atomfab | |
| 加载 | 负载锁或盒式磁带 |
盒式处理程序。Brooks MMX与对准器。可选的凉爽站。 |
| 基材 | 在载体板上的最多200mm晶圆处理和碎片 | 可以配置为200毫米，150毫米或100毫米。 |
| 气泡液体和固体前体 | 最多8加水，臭氧和气体 | 蒸气绘制前体 |
| 最大前体源温度 | 200ºC | 高蒸汽压力前体冷却在室温以下以进行控制，可重复的给药 |
| 具有快速输送系统的MFC控制气管；1）热气体前体（例如NH 3 ，o 2 ）2）血浆气体（例如O 2 ，n 2 2 sub>，h 2 ） | 在外部安装的气舱中最多10 | 在5-ine气舱气体上（可与有毒和无毒线配置） |
我们的原子层沉积设备建立在十多年的经验基础上。关键功能包括牛津仪器系统的系统包括：狗万正网地址
通过原子层沉积，可以多种材料可以保证和设置各种过程。对于新颖的过程，我们广泛的过程知识和广泛的网络使我们能够提供起点食谱，这些食谱应该是良好的起点，可以迅速发展出强大的过程。
通常，利用我们的血浆知识和对MFC控制的气体混合物（包括有毒气体）的处理，通常可以使用基于等离子体的工艺。
2D材料ALD也可以通过ALD增长，这是一个新的发展，目的是迈向高质量的MOS2电影。ALD化学控制有望能够在CMOS兼容温度下使用其独特性能，并在大面积（200mm晶圆）上具有精确的数字厚度控制。
金属 |
氟化物 |
硫化物 |
pt |
alf |
MOS 2 |
ru |
MGF |
氧化物 |
硝酸盐 |
Al |
Aln |
CO |
|
ga 2 o 3 |
甘 |
HFO |
HFN |
在 2 o 3中 |
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li 2 co <ub> 3 |
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Moo |
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nb 2 o 5 |
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尼奥 |
|
Sio |
Si |
sno 2 |
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ta 2 o 5 |
棕褐色 |
tio |
锡 |
wo 3 |
Wn |
Zno |
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ZRO2 |
我们很高兴介绍来自Eindhoven技术大学（TU/E）的两名博士学位学生的研究项目。作为工程科学技术领域的主要大学，TU/E一直致力于创新过程技术，致力于推进原子层沉积的工业应用（ALD），这是一种高级沉积技术，允许将超薄膜用于原子- 层厚度控制。
在牛津仪器等离子技术与埃因霍温大学之间的合作伙伴关系15年之后，我们继续推动狗万正网地址ALD研发的界限，ALD研发的界限是在许多纳米制作应用中使用的最快发展的技术之一。万博电脑网页版登录研究专业的Karsten Arts和Marc Merkx都使用了牛津仪器的弹性ALD系统，具有远程感应耦合的等离子体来源，可实狗万正网地址现高质量的沉积。
ATOMFAB是市场上HVM的最快远程等离子体ALD系统，专门为人类的Gan Hemt和RF设备而设计。
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