强大的等离子体蚀刻解决方案

原子层沉积(ALD)是一种先进的沉积技术，允许以精确控制的方式沉积几纳米的超薄膜。ALD不仅提供了出色的厚度控制和均匀性，而且可以为高纵横比结构覆盖三维结构的保形涂层。

IBE的主要好处

• 自限制原子逐层增长
• 适形涂层
• 低针孔和颗粒水平
• 高品质氧化物，低损伤
• 用于敏感基材的低温工艺
• 低成核延迟的金属
• 广泛的材料和工艺

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• 量子技术
• 二维材料
• 氮化镓功率
• 生物医学设备

流程

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原子层蚀刻(ALE)是一种先进的蚀刻技术，可以对浅层特征进行极好的深度控制。随着器件特征尺寸的进一步减小，需要进一步的ALE来实现峰值性能所需的精度。

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