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等离子体增强CVD，或PECVD，是一种成熟的沉积各种薄膜的技术。许多类型的设备需要PECVD来创建高质量的钝化或高密度掩模。
PECVD工艺模块专门设计用于生产优良的均匀性和高速率薄膜，并可控制薄膜的折射率、应力、电特性和湿化学腐蚀速率等特性。
电感耦合等离子体化学气相沉积，ICPCVD。在ICP源中产生高密度等离子体意味着该技术可以在低温下低损伤地沉积高质量的介电薄膜。
低温沉积意味着可以成功地处理对温度敏感的薄膜和器件。
PECVD工艺和腔室图
ICPCVD工艺和腔室图
高质量的薄膜，高通量，均匀性好
| PlasmaPro 80 | PlasmaPro 100 | PlasmaPro 800 | |||||||||
| 技术 | Pecvd & icpcvd | Pecvd & icpcvd | PECVD | ||||||||
| 电极的大小 | 240毫米 | 460毫米 | |||||||||
| 基板 | 直径可达240mm | 直径可达200mm | 直径可达460毫米 | ||||||||
| 掺杂物 | 没有 | 各种可用的 | 没有 | ||||||||
| 液体前驱 | 没有 | 是的(teo) | 没有 | ||||||||
| MFC控制的气体管道 | 4、8线或12线气箱可选 | ||||||||||
| 晶圆级温度范围 | 20℃~ 400℃ | 20°C至1200°C | 20℃~ 400℃ | ||||||||
| 原位等离子体清洗 | 是的 | 是的 | 是的 | ||||||||
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