离子束技术通过提供单一工具和最大限度地利用系统,提供了一种非常通用的蚀刻方法。离子束蚀刻提供了最大的灵活性和优良的均匀性。
离子束蚀刻(或铣削)是通过在高真空室中将一束带电粒子(离子)对准具有适当图案掩模的衬底来实现的。它使高定向中性离子束控制侧壁轮廓,以及径向均匀性优化和特征塑造在纳米图案。
倾斜的特征可以通过改变离子束冲击的方向使样品倾斜的独特能力来创建。
我们的离子束系统,离子fab,可以配置为蚀刻(IBE)和沉积(IBD)技术。
CAIBE GaAs使用
艰难的面具。
SiO2AR应用的指定光栅。万博电脑网页版登录
可用的流程 |
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金属 |
Au, Ag, Pt, Cu, Al |
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磁学/合金 |
MnIr, CoFe, FeMn, NiCr |
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耐火氧化物 |
分别以、SiO <子> 2子> < / |
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III-Vs |
InGaAsP, InSb, GaN, GaAs, InP |
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II-VIs |
cDtE, cDhGtE, zNo, zNsE |
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复合材料和其他 |
SrTiO <子> 3 < /子>,LaAlO <子> 3 < /子>,LiNbO <子> 3 < /子>,如果 |