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自动端点检测器

用于沉积和蚀刻系统的自动端点检测器

端点检测器是实现最佳工艺结果的重要工具。现在升级并获得多种好处。

目前可用的端点检测器升级有:

  • 用于沉积的光学发射光谱(OES)终点检测器
  • 用于蚀刻的OES端点检测器
  • 激光干涉测点仪
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端点检测器是实现最佳工艺结果的重要工具。

现在升级,受益于:

  • 提高工具的可用性和生产率
  • 降低拥有成本
  • 由于较少过度清洗,延长了腔室组件的使用寿命
  • 实时室清洁端点检测
  • 通过防止过度清洗减少颗粒的产生,从而提高工艺产量

发射光谱学

  • 光学发射光谱监测等离子体发出的光。
  • 因此,测量在特定波长发出的光的量可以相对测量给定物种的浓度。氟发射强度的测量用于确定腔体等离子清洗的终点。
  • 在清洗过程中,氟的浓度会很低,因为它被蚀刻过程所消耗,但当室壁变得干净时,它会在端点处急剧上升。
  • PECVD室清洁端点的典型端点单元如下:
  1. CCD1光谱仪套件(200-850nm光谱仪)。全光谱功能还可以进行腔室和工艺监测,例如,通过比较当前光谱与参考,以帮助工艺故障排除。
  2. 固定波长PM140套件(704nm),专用于腔室清洁端点检测。
  • 这些端点检测器可用于PlasmaPro®系统:80Plus, NGP80, 100和Plasmalab System 100

端点检测器是实现最佳工艺结果的重要工具。

现在升级,并受益于以下:

  • 允许在特定层上精确停止,提高吞吐量和产量
  • 理想的全晶圆或批量结束
  • 能够监控腔室状态和过程“健康状况”
  • 也推荐用于清洗室的末端

发射光谱学

  • 光学发射光谱监测等离子体发出的光。
  • 蚀刻副产物和气体种类具有特征的发射波长,因此当蚀刻到达一个新层时,可以通过寻找这些发射的变化来检测过程端点。
  • OES端点通常需要几平方厘米的蚀刻面积,以向等离子体提供可检测的蚀刻物种浓度,这也取决于蚀刻速率和等离子体发射强度。有关典型OES选项,请参见背页表。

端点检测器是实现最佳工艺结果的重要工具。

现在升级,并受益于以下:

  • 启用蚀刻深度监控和端点
  • 允许在一个层内“蚀刻到深度”
  • 多层结构内精确的蚀刻深度控制
  • 允许在小样本或不提供强OES端点的样本上设置端点

激光干涉测量

  • 激光干涉仪通过将激光光斑聚焦到晶圆上并测量反射激光的强度来测量蚀刻(或沉积)过程中晶圆表面反射率的变化。
  • 激光干涉仪相机将反射率信号与晶圆表面图像一起提供给牛津仪器系统PC,以允许将激光光斑精确定位到正确的区域。狗万正网地址
  • 蚀刻(或沉积)速率可以通过监测反射信号的干扰波纹到达的速率来计算(因为每个干扰周期= λ/2n),允许蚀刻在层内的某个深度停止。层之间的界面也可以被检测到,因为这通常会导致反射率的突然变化。
  • 激光干涉测量通常需要用户在每次运行前对光斑进行定位(除非晶圆片的特定区域专门用于激光端点),因此通常用于研究环境。
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