Plasmapro 80 Rie.

PlasmaPro 80

带操作员的PlasmaPro 80

PlasmaPro 80反应性离子蚀刻(RIE)是一种紧凑，占地面积小的系统，提供灵活的蚀刻和沉积解决方案，方便的开放加载。它易于安装和使用，在过程质量上没有任何妥协。开式加载设计允许快速加载和卸载晶片，非常适合研究、原型设计和小批量生产。它可以使用优化的电极冷却和优良的衬底温度控制实现高性能工艺。

开放式负载设计允许快速晶片装载和卸载
优异的蚀刻控制和速率测定
优异的晶片温度均匀性
可达200mm晶圆
低拥有成本
符合Semi S2/S8标准

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小足迹- 易于现场
优化电极冷却- 基板温度控制
高电导径向（轴对称）泵送配置- 保证增强的过程均匀性和率是
增加了< 500ms数据日志记录-气室和工艺条件的追溯和历史
短背的涡轮泵- 高泵送速度和优异的基础压力
清除易于访问关键组件-提高了可用性和维护能力
X20控制系统- 大大增加数据检索并提供更快，更可重复的匹配
通过前端软件进行故障和工具诊断- 快速故障诊断
激光终点检测使用干涉测量-测量透明材料在反射表面上的蚀刻深度(例如，Si上的氧化物)，或非透明材料(如金属)的反射测量法，以确定层边界
用于大型样品或批处理过程端指向的光发射光谱法（OES）-检测腐蚀副产物的变化或活性气体种类的消耗，以及室清洁末端指向

III-V蚀刻工艺
硅博世和冷冻蚀刻工艺
菱形如碳（DLC）沉积
SiO.₂和石英蚀刻
使用特殊配置的PlasmaPro FA工具，从封装芯片和模具蚀刻到全200mm晶圆蚀刻，进行干式蚀刻的失效分析
高亮度LED生产的硬面膜蚀刻

Inp波导的rie

Inp波导的rie

7μm聚酰亚胺特征RIE

7μm聚酰亚胺特征RIE

我们有权与UCL的两位高级研究员们与使用我们的PlasmaPro®80RIE系统的高级研究员交谈，提出了与量子和光电器件相关的最新研究项目。

奥斯卡·肯尼迪博士使用了等离子体Pro RIE系统来通过蚀刻超导NBN膜来产生超导电路，而Dr Wing NG使用RIE系统在一对基于芯片的光学缓冲器之间的一对波导之间使用平滑的侧壁进行精确地图案。。

反应离子蚀刻在半导体器件的制造过程中提供了优良的过程控制，并被用于许多器件制造过程。阅读案例研究了解研究项目。

UCL的PlasmaPro 100 RIE病例研究

阅读完整的案例研究

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