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等离子体技术
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离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率，为蚀刻和沉积提供了一种非常通用的方法。离子束刻蚀具有最大的灵活性和良好的均匀性。
我们的系统有灵活的硬件选择，包括开放式负载，单基板负载锁定和盒式对盒式。系统规范与应用程序密切相关，支持更快和可重复的过程结果。万博电脑网页版登录
| 晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
| 蚀刻RF离子源 | 15厘米 | 30厘米 | |||||||||
| 底物旋转速度 | 最高20转/分 | ||||||||||
| 基板倾斜角度 | -90°水平到+65°朝下 | ||||||||||
| 滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 | ||||||||||
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联系我们离子束技术通过提供单一工具和最大限度地提高系统利用率，为蚀刻和沉积提供了一种非常通用的方法。选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产高质量、致密和光滑表面的沉积膜。
我们的系统有灵活的硬件选择，包括开放式负载，单基板负载锁定和盒式对盒式。系统规范与应用程序密切相关，支持更快和可重复的过程结果。万博电脑网页版登录
| 晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
| 沉积离子源 | 15厘米 | 15厘米 | |||||||||
| 底物旋转速度 | 最高20转/分 | ||||||||||
| 基板倾斜角度 | -90°水平到+65°朝下 | ||||||||||
| 滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 | ||||||||||
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联系我们一种紧凑的离子束蚀刻和沉积系统，设计用于灵活的研究和中试生产，配备多达两个(15cm)离子源用于蚀刻或沉积。这使得它成为200毫米晶片尺寸的理想沉积和100毫米晶片尺寸的蚀刻工艺优化。
它的占地面积基本相同，但有一个更大的处理室，设计用于处理高达200毫米的晶片，用于蚀刻和沉积。该系统配备了30厘米的蚀刻离子源，提供了良好的蚀刻均匀性和优越的工艺稳定性，使其成为中试和大规模生产的理想选择。
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