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Plasmapro 80 ICPCVD

Plasmapro 80是一个紧凑的小占地面积系统,可提供方便的开放载荷,提供多功能蚀刻和沉积解决方案。它易于定位且易于使用,而没有妥协流程质量。开放式负载设计允许快速的晶圆加载和卸载,非常适合研究,原型制作和低量生产。它可以使用优化的电极冷却和出色的底物温度控制实现高性能过程

  • 开放负载设计允许快速晶圆加载和卸载
  • 出色的蚀刻控制和速率确定
  • 出色的晶圆温度均匀性
  • 最多200mm晶片
  • 低成本
  • 构建到半S2/S8标准


要求定价添加到报价列表

  • 小足迹- 易于位置
  • 优化的电极冷却- 底物温度控制
  • 高导度径向(轴向对称)泵送配置- 保证增强的过程统一性和速率是
  • 添加<500毫秒的数据记录- 室内和过程条件的可追溯性和历史
  • 密闭耦合涡轮泵- 高抽水速度和极好的基本压力
  • 清晰地访问关键组件- 提高可维护性和维护
  • X20控制系统- 大大增加了数据检索并提供更快,更重复的匹配
  • 通过前端软件的故障和工具诊断- 快速故障诊断
  • 使用干涉法检测激光终点检测- 测量反射表面上透明材料的蚀刻深度(例如,SI上的氧化物)或非透明材料(例如金属)的反射法,以确定层边界
  • 用于大型样品或批处理端点的光学发射光谱法(OES)- 检测蚀刻副产品的变化或反应性气体物种的耗竭,以及用于腔室清洁端点
  • III-V蚀刻过程
  • 硅Bosch和冷冻蚀刻工艺
  • 钻石状的碳
  • (DLC)沉积
  • Sio2和石英蚀刻
  • 故障分析使用特殊配置的浆液FA工具从包装和模具蚀刻到完整的200mm晶圆晶片蚀刻
  • 光子学,介电层,钝化和许多其他用途的氮化硅和二氧化硅的高质量PECVD
  • 硬面膜沉积和高亮度LED生产的蚀刻
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全球客户支持

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