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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速蚀刻速率。该工艺模块为高达200mm的晶圆尺寸提供了优良的均匀性、高通量、高精度和低损伤工艺,支持多个市场,包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频、MEMS和传感器。
高蚀刻速率和高选择性
低损伤蚀刻和高重复性加工
单片负载锁定或可集群,最多可配置5个流程模块
他的背面冷却为最佳温度控制
宽温度范围电极,-150°C至400°C
- 兼容所有晶圆尺寸至200mm
- 晶圆尺寸的快速变化
- 原位腔室清洗和末端定位