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Plasmapro 100 Cobra ICP rie蚀刻

PlasmApro 100 Cobra ICP RIE蚀刻采用高密度等离子体来实现快速蚀刻和沉积速率。该过程模块提供出色的均匀性,高通量,高精度和低损坏的晶片尺寸,高达200mm。

我们的系统在大容量制造(HVM)内具有宽的安装底座,具有发达的过程解决方案。PlasmApro 100 COBRA支持许多市场,包括MEMS和传感器,GAAS和INP激光光电子,SIC&GaN电力电子和RF。

  • 宽温度范围电极,-150°C至400°C

  • 兼容200mm以下的所有晶圆片
  • 晶片尺寸之间的快速变化
  • 低成本的拥有成本和易于服务性
  • 紧凑的脚印,灵活的布局
  • 原位室清洁和终点


要求定价添加到报价表中

Cobra®ICP蚀刻源在低压下产生高密度的反应物种。基片直流偏压由射频发生器独立控制,允许根据工艺要求控制离子能量。

狗万正网地址牛津仪器'PlasmApro 100 Process模块​​提供了一个200mm平台,具有单晶片和多晶片批量功能。该过程模块提供出色的均匀性,高吞吐量和高精度过程。

通过腔室向基板提供反应性物种,通过腔室具有均匀的高电导路径- 允许在保持低压的同时使用高气流

可变高度电极-利用等离子体的三维特性,并在最佳高度容纳高达10mm厚的衬底

宽温度范围电极(-150°C ~ +400°C),可通过液氮、流体循环冷水机或电阻加热进行冷却- 可选的吹气和流体交换单元可以自动化开关模式的过程

由重新循环冷却器单元供给的流体控制电极- 优异的基材温度控制

RF供电的喷头,具有优化的气体输送- 提供具有LF / RF开关的均匀等离子体处理,允许精确控制膜应力

ICP源尺寸有65mm, 180mm, 300mm-提供工艺均匀度高达200mm晶圆

高泵送能力- 提供宽处压力窗口

晶圆夹紧他背面冷却- 最佳晶片温度控制

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全球客户支持

狗万正网地址牛津工具致力于提供全面,灵活可靠的全球客户支持。我们在整个系统中提供优质的服务。

  • 远程诊断软件提供快速且易于故障的诊断和分辨率。
  • 支持合同可根据预算和情况提供。
  • 在战略位置的全球备件以快速反应。
了解更多

新:PTIQ软件

PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

  • 异常灵敏的系统控制
  • 优化系统和过程性能
  • 不同级别的软件适合您的要求
  • 全新直观的布局设计
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选项

其他PlasmApro 100系统包括:

100年PlasmaPro RIE

  • RIE模块提供了广泛的各向异性干蚀刻工艺。

PlasmApro 100 ICPCVD

  • ICP CVD工艺模块设计成在低沉积压力和温度下具有高密度等离子体,从室温到400°C的高质量薄膜。

PlasmApro 100 PECVD

  • PECVD工艺模块专门设计成产生优异的均匀性和高速率膜,控制膜性质,例如折射率,应力,电特性和湿化学蚀刻速率。

升级/配件

煤气套装- 掺入额外的气体管线并允许更大的灵活性

Logviewer软件-数据记录软件允许实时绘图和运行后分析

光端点检测器-实现最佳过程结果的重要工具

软泵-允许缓慢抽真空室

涡轮分子真空泵-提供卓越的泵送速度和更高的吞吐量

X20控制系统- 提供未来的证明,灵活可靠的工具,系统的“智力”增加

先进的能量求发电机- 提供更高的可靠性和更高的等离子体稳定性

自动控制-该控制器确保非常快速和准确的压力控制

双cm仪表切换-通过一个压力控制阀,可以使用两个不同量程的电容压力计

LN2 autochangeover单位- 使台式冷却流体自动切换在液氮(LN2)和冷却器流体之间

TEOS液位传感- 使用安装在Teos罐的超声电平传感器实现了电平传感

宽温度范围电极- 显着的设计改进,以提高流程性能

即将来临的事件

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