PlasmaPro 80 ICP RIE

PlasmaPro 80 ICP蚀刻

plasmapro80 ICP与操作员使用软件

PlasmaPro 80和操作员

PlasmaPro 80 ICP RIE是一个紧凑，占地面积小的系统，提供多功能的ICP蚀刻解决方案，方便开放加载。它易于现场和易于使用，在工艺质量上没有妥协。开放式负载设计允许快速晶圆加载和卸载，非常适合研究，原型设计和小批量生产。它通过优化的电极冷却和出色的基片温度控制实现高性能工艺．

开放式加载设计允许快速的晶圆加载和卸载
优秀的蚀刻控制和速率决定
优异的晶圆温度均匀性
高达200mm晶圆
拥有成本低
符合Semi S2/S8标准

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III-V蚀刻工艺
硅博世和低温蚀刻流程
SiO₂石英蚀刻
从封装芯片和模具蚀刻到完整200mm晶圆蚀刻的干式蚀刻处理失效分析
用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和蚀刻

除去顶层电介质层，露出四层金属层

除去顶层电介质层，露出四层金属层

除去顶层电介质层，露出四层金属层

除去顶层电介质层，露出四层金属层

ICP65的低损伤FA蚀刻

ICP65的低损伤FA蚀刻

占用空间小-易于选址
优化电极冷却-基板温度控制
高电导径向(轴对称)泵送配置-保证增强的工艺均匀性和速率
增加了< 500ms的数据记录-室和工艺条件的可追溯性和历史
紧密耦合涡轮泵-高抽速和优良的基础压力
易于访问关键组件-提高服务能力和维护能力
X20控制系统-大大增加了数据检索和提供更快，更可重复的匹配
通过前端软件进行故障和工具诊断-快速故障诊断
使用干涉测量法的激光端点检测-测量反射表面上透明材料(例如Si上的氧化物)的蚀刻深度，或非透明材料(如金属)的反射测量，以确定层边界
光学发射光谱法(OES)用于大样品或批量过程终点-检测腐蚀副产物的变化或活性气体种类的耗尽，并检测室清洁终点

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全球客户支持

狗万正网地址牛津仪器致力于为全球客户提供全面、灵活、可靠的支持。我们在您系统的整个生命周期内提供优质的服务。

远程诊断软件提供快速简便的故障诊断和解决方案。
支持合同可用于适应预算和情况。
全球备件在战略位置，快速响应。

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新:PTIQ软件

PTIQ是PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

卓越的响应系统控制水平
优化系统和流程性能
不同级别的软件，以满足您的需求
全新直观的布局和设计

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即将来临的事件

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