牛津仪器集团的一部分狗万正网地址
扩大

Plasmapro 100 Cobra ICP rie蚀刻

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE蚀刻采用高密度等离子体实现快速蚀刻和沉积速率。该过程模块提供了优良的均匀性,高吞吐量,高精度和低损伤的过程晶圆尺寸达200mm。

我们的系统在大批量生产(HVM)中拥有广泛的安装基础,拥有完善的工艺解决方案。PlasmaPro 100 Cobra支持多个市场,包括MEMS和传感器,GaAs和InP激光光电子,SiC和GaN电力电子和射频。

  • 宽温度范围电极,-150°C至400°C

  • 兼容200mm以下的所有晶圆片
  • 晶圆大小的快速变化
  • 拥有成本低,易于使用
  • 紧凑的足迹,灵活的布局
  • 原位室清洁和终点


要求定价添加到报价表中

Cobra®ICP蚀刻源在低压下产生高密度的反应物种。基片直流偏压由射频发生器独立控制,允许根据工艺要求控制离子能量。

狗万正网地址Oxford Instruments的PlasmaPro 100工艺模块提供了一个200毫米平台,具有单晶片和多晶片批处理能力。工艺模块提供优良的均匀性,高吞吐量和高精度的工艺。

通过均匀的高电导通道将反应物质传递到衬底-在保持低压的同时,允许使用高气体流量

变量高度电极-利用等离子体的三维特性,并在最佳高度容纳高达10mm厚的衬底

宽温度范围电极(-150°C ~ +400°C),可通过液氮、流体循环冷水机或电阻加热进行冷却- 可选的吹气和流体交换单元可以自动化开关模式的过程

由循环冷水机组供给的流体控制电极- 优异的基材温度控制

RF供电的喷头,具有优化的气体输送- 提供具有LF / RF开关的均匀等离子体处理,允许精确控制膜应力

ICP源尺寸有65mm, 180mm, 300mm-提供工艺均匀度高达200mm晶圆

高的泵送能力- 提供宽处压力窗口

夹紧晶片,背面冷却-最佳晶圆温度控制

下载手册

全球客户支持

狗万正网地址牛津仪器致力于提供全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们提供优质的服务贯穿您系统的整个生命周期。

  • 远程诊断软件提供快速、简单的故障诊断和解决方案。
  • 支持合同可根据预算和情况提供。
  • 在战略位置提供全球备件,快速响应。
了解更多

新:PTIQ软件

PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

  • 异常灵敏的系统控制
  • 优化系统和过程性能
  • 不同级别的软件适合您的要求
  • 全新直观的布局设计
了解更多

选项

其他PlasmaPro 100系统包括:

100年PlasmaPro RIE

  • RIE模块提供了广泛的各向异性干蚀刻工艺。

PlasmApro 100 ICPCVD.

  • ICP CVD工艺模块设计用于在低沉积压力和温度下使用高密度等离子体在室温至400°C范围内生产高质量的薄膜。

100年PlasmaPro PECVD

  • PECVD工艺模块是专门设计来生产优良的均匀性和高速率的薄膜,控制薄膜的特性,如折射率,应力,电特性和湿化学腐蚀速率。

升级/配件

煤气套装- 掺入额外的气体管线并允许更大的灵活性

Logviewer软件-数据记录软件允许实时绘图和运行后分析

光端点检测器-实现最佳过程结果的重要工具

软泵-允许缓慢抽真空室

涡轮分子真空泵-提供卓越的泵送速度和更高的吞吐量

X20的控制系统-提供了一个未来的证明,灵活和可靠的工具,增加了系统的“智能”

先进的能量求发电机-提供更高的可靠性和更高的等离子体稳定性

自动控制-该控制器确保非常快速和准确的压力控制

双cm仪表切换-通过一个压力控制阀,可以使用两个不同量程的电容压力计

LN2 autochangeover单位-使表冷却液自动切换液氮(LN2)和冷水机流体

TEOS液位传感-使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极- 显着的设计改进,以提高流程性能

即将来临的事件

最新消息