工研院在GaN HEMT器件性能上的突破
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离子束技术通过提供单一工具和最大化系统利用率，为蚀刻和沉积提供了一种非常通用的方法。离子束蚀刻提供了最大的灵活性和卓越的均匀性。
我们的系统有灵活的硬件选择，包括开式负载、单基片负载锁定和盒式到盒式。系统规格与应用程序紧密配合，实现更快和可重复的过程结果。万博电脑网页版登录
| 晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
| 蚀刻射频离子源 | 15厘米 | 30厘米 | |||||||||
| 基材旋转速度 | 高达20转/分 | ||||||||||
| 基材倾斜角 | -90°水平到+65°面朝下 | ||||||||||
| 滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 | ||||||||||
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联系我们离子束技术通过提供单一工具和最大化系统利用率，为蚀刻和沉积提供了一种非常通用的方法。我们的离子束沉积产品因其能够生产高质量，致密和光滑表面的沉积膜而被选中。
我们的系统有灵活的硬件选择，包括开式负载、单基片负载锁定和盒式到盒式。系统规格与应用程序紧密配合，实现更快和可重复的过程结果。万博电脑网页版登录
| 晶片大小 | 100毫米 | 200毫米 | |||||||||
| 沉积离子源 | 15厘米 | 15厘米 | |||||||||
| 基材旋转速度 | 高达20转/分 | ||||||||||
| 基材倾斜角 | -90°水平到+65°面朝下 | ||||||||||
| 滚筒温度 | 10°C至300°C冷水机或加热器配置 | ||||||||||
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联系我们紧凑的离子束蚀刻和沉积系统，专为灵活的研究和试点生产，配备了多达两个(15cm)离子源蚀刻或沉积。这使得它非常适合沉积高达200毫米的晶圆尺寸和蚀刻工艺优化高达100毫米的晶圆尺寸。
它具有基本相同的占地面积，但具有更大的工艺室，设计用于处理高达200毫米的晶圆，用于蚀刻和沉积。该系统配备了一个30厘米的蚀刻离子源，提供了出色的蚀刻均匀性和卓越的工艺稳定性，使其成为中试验和大规模生产的理想选择。
狗万正网地址牛津仪器致力于为全球客户提供全面、灵活、可靠的支持。我们在您的系统的整个生命周期内提供优质的服务。
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