plasmapro 100 Estrelas Drie

Plasmapro 100 Estrelas DSIE与Brooks MMX处理程序

Plasmapro 100 Estrelas平台旨在为深度反应性离子蚀刻（DRIE）应用提供全部灵活性 - 在微型机电系统（MEMS），高级包装和纳米技术市场上满足各种过程需求。万博电脑网页版登录Plasmapro 100 Estrelas为研究和数量生产而开发，可通过Bosch和低温过程提供最终的灵活性。

Bosch工艺的高蚀刻速率和高选择性
光滑的侧壁和高纵横比过程
高度各向异性（垂直）轮廓
低率，纳米 - 硅蚀刻和Notch Control（SOI）的低功率（SOI）
通过蚀刻逐渐变细
广泛的应用万博电脑网页版登录
机械或静电夹（底物的兼容性）
改善的可重复性
清洁之间的平均时间增加（MTBC）

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DSIE技术或深反应离子蚀刻（DRIE）将各向同性硅的蚀刻和钝化步骤反复获得，以获得各向异性轮廓。使用高密度的等离子体源和快速的气体转换功能，该技术使您能够实现垂直度，光滑的侧壁和高蚀刻速率，具有高选择性的掩盖材料。

从光滑的侧壁过程到高速腔蚀刻和高纵横比工艺，再到通过蚀刻的锥形，plasmapro 100雌激素已设计为确保可以在无需更改室内的无需更改室内实现MEMS，高级包装和纳米技术中的广泛应用万博电脑网页版登录硬件。

可以实现纳米和微观结构，因为硬件的设计具有在同一室内运行Bosch™和冷冻蚀刻技术的能力。

博世过程

兼容50mm至200mm的基板- 确保您有能力使用相同的室内硬件开发可用于生产的设备

自动匹配- 过程灵活性

较高的流量MFC和相关的发电机- 高基密度

腔室体积减少和高吞吐量- 确保高气电导

快速作用的闭合MFC- 快速控制（最初是为ALD开发的）

系统要求

高密度血浆（化学驱动过程）
密闭耦合气荚
高流量和抽水
快速简便地从液氮（LN2）轻松切换到冷却器，反之亦然
高级食谱编辑器
加热的衬板和顶板
有效的晶圆冷却

博世申请万博电脑网页版登录

Bosch DSIE通常用于> 1µm和深度> 10µm的特征

智能设备，消费者和工业电子产品的MEMS
微流体
生物医学设备
通过硅通过（TSV）
Sio₂和石英蚀刻
高Q电容器阵列和量子设备的高Q谐振器

低温应用万博电脑网页版登录

低温DSIE通常用于光滑的侧壁和/或纳米蚀刻和温度敏感材料，因为它提供了低温过程（»-110°C）

纳米应用万博电脑网页版登录
光子学
成型

范围	博世	低温	混合气
速率（μm/min）	高的	缓和	低的
对PR的选择性	很高	高的	低的
轮廓	垂直的	垂直或倾斜	垂直或倾斜
纵横比	很高	高的	低的
侧壁	扇贝	光滑的	光滑的
Arde控制	是的	有限的	有限的
打扫	常规的	稀有的	常规的
最小功能 /nm	≈300	≈10	30