FlexAL退化

宣传册

FlexAL原子层沉积(ALD)系统提供了广泛的优化的高质量等离子ALD和热ALD工艺，在前体、工艺气体和单个工艺室的硬件配置方面具有最大的灵活性。

远程等离子体低损伤等离子体ALD结合热ALD在一个沉积室
可选择射频偏压电极控制薄膜性能
工业标准盒式磁带处理更高的吞吐量
在前体、工艺气体、硬件特性和选项的选择上具有最大的灵活性
优化以保持低损伤，高质量的基材
可拆卸的衬套便于腔室的维护
低温使高质量的沉积在温度敏感的表面

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ALD产品系列包括一系列工具，以满足学术界、企业研发和小规模生产的各种需求。狗万正网地址牛津仪器有一个广泛的工艺库，新的工艺正在不断开发。我们为任何ALD工具的生命周期提供免费的持续工艺支持，提供开发新材料的建议，并持续访问我们最新的ALD工艺开发，包括新工艺配方。

离子在等离子体ALD过程中起着重要作用。离子可以改善薄膜质量，特别是在较低的沉积温度下对氮化物。然而，某些界面和衬底可能对离子敏感，从而导致器件损坏。FlexAL ALD系统通过先进的等离子源和自动匹配单元(AMU)精确控制等离子离子，在最大限度地减少等离子体损害的同时，实现等离子体的最大效益。

用于集成原位分析设备的腔室端口/窗口，例如椭偏仪
自动单晶片负载锁定，以装载衬底高达200毫米
可聚集的附加过程模块与真空室之间的传输
充分说明前体交换程序与清单
洁净室接口可用于穿墙安装
臭氧发生器可集成
广泛的电极选择-接地和偏置电极
涡轮分子泵有利于水分敏感的氮化物和金属
RF表偏压选项，用于增强薄膜性能，如电导率，结晶度，应力控制

用于量子器件的超导氮化物(如TiN, NbN)
GaN HEMT预处理和钝化
用于石墨烯钝化的高质量高k栅氧化物(例如氧化钛、氧化硅、氧化镓)
二维过渡金属二卤族化合物ALD
无针孔钝化层的oled和聚合物
晶体硅太阳能电池的钝化
ALD防潮屏障和敏感基材的钝化
微流体器件的高度共形涂层

图片:血浆ALD Al的高适形性₂O_3.(左图)和SiO₂(右图)礼貌通过埃因霍温理工大学

图片:SiO的共形沉积₂, TiO₂和Al2O_3.由血浆ALD，(CC BY 4.0许可)，图像库在www.AtomicLimits.com, 2021年

晶片尺寸:高达200mm

等离子体源发电机:300w或600w

温度范围:从30°C到550°C(带表偏差)

前体

用于研究(最多100克)和生产(最多500克)的前体选择
多达8种金属液体或固体快速冒泡前体
多达10个等离子体和热气体前体
水锅标准
臭氧发生器可选

集群:PECVD, ICPCVD, RIE和Sputter模块

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案例研究

我们与埃因霍温理工大学(TU/e)合作超过15年，共同在原子层沉积(ALD)研究方面不断取得重大进展，这是纳米制造的许多应用中发展最迅速的技术之一。万博电脑网页版登录

我们非常高兴地向大家介绍来自TU/e的两位博士生的研究项目，他们使用了牛津仪器的FlexAL ALD系统，该系统具有远程感应耦合等离子体源，实现了高质量的沉积。狗万正网地址利用先进的等离子体ALD技术，Karsten Arts实现了高纵横比特征的共形沉积，Marc Merkx实现了氮化钛(TiN)的高度选择性生长。