的步伐。的性能。等离子体。

Atomfab为GaN电源和射频器件提供快速、低损伤、低CoO生产的等离子ALD处理。

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速度

Atomfab是市场上最快的远程等离子生产ALD系统。

解决您的生产需求

竞争首席运营官
快,易于维护
优秀的薄膜均匀性
高材料质量
低基质损害
更快的循环时间，高吞吐量
可集群和自动化晶圆处理

性能

Atomfab的ALD技术为纳米级的高级应用提供了精确控制的超薄膜，并为敏感衬底结构提供了保形涂层。万博电脑网页版登录

电源和射频器件钝化的工艺优点

由我们的工程师保证工艺设置
对附加/新流程的生命周期支持
低损等离子体处理
高质量沉积，低膜污染
粒子水平低
短的等离子暴露时间使高通量
等离子体表面预处理

等离子ALD在GaN, POWER和RF器件中的优势

沉积前用等离子体预处理以提高界面质量
损伤低，沉积均匀
远程等离子ALD与控制离子能量从接近零至30 eV
ALD钝化，铝栅电介质₂O_3.电影。

阅读更多关于ALD如何优化GaN电源设备在我们白皮书．

氮化镓HEMTs

提高吞吐量和改善均匀性，使远程血浆ALD投入生产。

等离子体

革命性的等离子体源:Atomfab使用了一项正在申请中的专利，专门为原子级处理设计的远程源。

低损伤的敏感衬底，最大的设备性能
快速循环时间和可靠性与均匀的等离子暴露和薄膜沉积
专利申请中的AMU支持短等离子时间(250ms)
打击时间短(80ms)，用于高吞吐量
可重复打击时间和低反射功率，高产量

300°C血浆ALD Al₂O₃	规范
在晶圆厚度均匀性内	<±1.0%
薄片厚度可重复性	<±1.0%
击穿电压	≥7.0 MV /厘米

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全球客户支持

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远程诊断软件提供快速、简便的故障诊断和解决方案
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全球备件在战略位置，以快速反应

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白皮书:
干电电子的ALD和ALE

新的GaN电力电子产品正在开发中，用于功率转换和传输。氮化镓的高迁移率和击穿电压使其成为电力器件的理想材料。制造这种器件有几种策略，其中利用AlGaN势垒的隐窝蚀刻是一种突出的策略。此外，栅极电介质层需要限制泄漏电流。

读到现在

研讨会:
氮化镓器件用栅极介质

请随时观看2019年7月的本次网络研讨会。我们的ALD专家Aileen O'Mahony博士给GaN上了一个ALD大师课。我们着眼于如何实现优异的均匀性，优化工艺条件，以降低基材损伤，为优越的器件性能和保形沉积提供高质量的材料。网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。

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