坦塔尔五氧化物（ta2o5），也称为坦塔木（V）氧化物，用于现代电容器和DRAM电容器中的高K介电。它可以使用电感耦合等离子体（ICP）和反应性离子蚀刻（RIE）。ta2o5可以使用原子层沉积（ALD）。
良好的蚀刻速率。
高材料质量和低伤害，即使在低沉积温度下也是如此。
具有竞争沉积率的优质化学计量法。
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