氧化硅

卓越的控制轮廓与专业知识优化倾斜的特点。

优良的材料质量和低损害，即使在低沉积温度。

具有极好的厚度和折射率均匀性，并可在高沉积速率下控制应力。可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷。

• 硅氮₄/ N₂O
• 硅氮₄/ O₂
• 张志贤/ O₂
• 低BOE的高质量薄膜
• 折射率控制
• 低温沉积可达20°C
• 沉积速率为5-100nm/min
• 使用GeH可能掺杂₄PH值,_3.B₂H₆三甲,TMP。
• 单一晶片尺寸:200毫米
• 批处理大小:5 x2”
  • 产品:PlasmaPro 80
• 单一晶片尺寸:300毫米
• 批处理大小:高达22x2"， 9x3"5x100mm, 3x120mm

具有良好的厚度和折射率均匀性。应力控制可在高沉积速率。可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷。

• 硅氮₄/ N₂O
• 张志贤/ O₂
• 低BOE的高质量薄膜
• 折射率控制
• 沉积速率从5->1000nm/min
• 使用GeH可能掺杂₄PH值,_3.B₂H₆三甲,TMP。
• 单一晶片尺寸:200毫米
• 批处理大小:到9x2"， 4x3"
  • 产品:PlasmaPro 80＆PlasmaPro 100

• 单一晶片尺寸:300毫米
• 批处理大小:高达43x2"， 19x3"， 10x100mm, 7x120mm, 4x150mm, 2x200mm
  • 产品:PlasmaPro 800