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碳化硅(SiC)具有电子和物理特性，为高功率应用提供卓越的性能器件。万博电脑网页版登录它也被用作生长高质量氮化镓(GaN)的衬底，使快速开关，高功率射频设备。SiC可以用电感耦合等离子体腐蚀(ICP)和沉积使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)．
工艺专业知识用于证明高蚀刻率与无缺陷表面。在射频器件的Via蚀刻中对底层实现了极佳的选择性。在功率器件特征蚀刻中演示了良好的轮廓控制，没有沟槽。
可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷
漆膜均匀，应力控制良好
可能使用PH掺杂3.B2H6三甲,TMP。
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