Hafnium二氧化物HFO2是高级集成电路中用于栅极绝缘体的高K介电。HFO2可以使用以下过程类型存入：原子层沉积（ALD）和反应性离子束沉积（ribd）
高材料质量和低伤害，即使在低沉积温度下也是如此。
流程专业知识用于展示具有出色可重复性的竞争结果。
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