锑化镓

锑化镓(GaSb)是一种化合物半导体，其特性使其非常适合于红外探测器和相关器件。它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)，活性离子蚀刻(RIE)或离子束腐蚀(IBE)．

作为高的衬底电力设备它是坚固的，轻量的，能够传递热量从活跃的区域比任何其他材料，同时承受高应用电压。
它是硅的适当替代品MEMS设备在这种情况下，磨损和生物相容性都是一个问题，可以与AlN等压电材料结合，形成高频声表面波器件。它的光学吸收在可见光谱中很低，加上高折射率，使得它可以用于波导等应用。万博电脑网页版登录
量子信息处理的主要候选者，其中NV中心可以被询问以给出关于量子态的信息。

晶片尺寸:100毫米
- 产品:PlasmaPro 100

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晶片尺寸:100毫米
- 产品:Ionfab300

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晶片尺寸:200毫米
- 产品:PlasmaPro 100

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