Gallium Phosphide

Gallium Phosphide（间隙）是一种具有2.26EV的间接带隙的化合物半导体材料。由于其光学性质，它已被用于制造LED和其他光电子设备。它可以使用蚀刻Inductively Coupled Plasma (ICP),反应离子蚀刻(RIE)orIon Beam Etch (IBE).

Wafer size:up to 100mm
- Product:PlasmApro 100.

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Wafer size:up to 100mm
批量大小：up to 6x2"
- Product:PlasmApro 100.

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Wafer size:up to 200mm
- Product:Ionfab300

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