氮化镓

氮化镓（GaN）是一种令人兴奋的材料，它使一些重要技术取得了关键进展。GaN高亮度LED（HBLED）已经彻底改变了照明，GaN激光二极管用于高速数据传输，而基于GaN的射频设备将很快应用于高效功率传输和移动电话基站。GaN可以使用电感耦合等离子体(ICP)，活性离子蚀刻(RIE)或离子束腐蚀(IBE)．可存放使用“肾上腺脑白质退化症”．

氮化镓

工艺专业知识用于证明具有低损伤和优化蚀刻速率的优异表面粗糙度。

单一晶片尺寸:100毫米
批量大小：4 x2”
- 产品:PlasmaPro 100
单一晶片尺寸:200毫米
- 产品:PlasmaPro 100北极星

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氮化镓ICP刻蚀

各向异性剖面达到竞争蚀刻速率。

单一晶片尺寸:200毫米
批量大小：6 x2”
- 产品:PlasmaPro 100

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良好的剖面控制，选择性极佳。

晶片尺寸:高达150毫米
- 产品:Ionfab300

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高材料的质量。

晶片尺寸:200毫米
- 产品:屈肌＆Atomfab

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