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砷化镓(GaAs)通常与铝砷化镓(AlGaAs)在光电子器件中形成镜面，例如VCSELs．它也是多量子阱(MQWs)的组成部分，而多量子阱是许多器件性能的关键。铝砷化镓可采用干式蚀刻电感耦合等离子体(ICP)，活性离子蚀刻(RIE)或离子束腐蚀(IBE)．根据要求，蚀刻工艺可以是选择性的或非选择性的GaAs。
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砷化镓/ AlGaAs多层腐蚀
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