铬(Cr)金属通常用于制作光刻用掩模,它也用作蚀刻材料的硬掩模二氧化硅.它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP),活性离子蚀刻(RIE)或离子束腐蚀(IBE).
我们使用我们的蚀刻技术组合来实现对100纳米以下的关键尺寸的控制。加工精度高,均匀性好,可为客户设计新颖的光学元件。
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该工艺显示了极佳的CD控制与优化的轮廓。
70nm熔融硅线。933nm深Cr掩膜。康奈尔纳米科学研究所提供
工艺专业知识应用于控制再沉积和在竞争的蚀刻速度下产生良好的轮廓。
良好的对晶圆的轮廓控制。