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(Cr)金属通常用于制作光刻用掩模,它也用作蚀刻材料的硬掩模二氧化硅.它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)活性离子蚀刻(RIE)离子束腐蚀(IBE)

干法蚀刻纳米铬

我们使用我们的蚀刻技术组合来实现对100纳米以下的关键尺寸的控制。加工精度高,均匀性好,可为客户设计新颖的光学元件。

阅读更多关于铬干加工在我们基于“增大化现实”技术白皮书

常见的应用程序万博电脑网页版登录

  • 衍射光学元件用硬掩模
  • 母模通常使用光刻技术制造。大师可以由石英、玻璃或硅制成,并使用铬罩干蚀刻。
  • 光掩模制造
  • 在光刻术中,铬被用作反射材料来制作十字线,也称为掩模。

铬

该工艺显示了极佳的CD控制与优化的轮廓。

在ICP 请求更多的信息

70nm熔融硅线。933nm深Cr掩膜。康奈尔纳米科学研究所提供

工艺专业知识应用于控制再沉积和在竞争的蚀刻速度下产生良好的轮廓。

  • 晶片尺寸:200毫米
  • 产品尺寸:Ionfab300
更多关于IBE 请求更多的信息

良好的对晶圆的轮廓控制。

更多关于RIE 请求更多的信息

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