氮化镓铝

氮化镓铝是一种越来越重要的材料，其在下一代射频器件的使用。藻胶是一种坚硬的材料，可以用光刻胶或硬掩模进行干蚀刻电感耦合等离子体(ICP)和活性离子蚀刻(RIE)．

GaN/GaN异质结构的电子特性用于射频器件，如HEMT，也称为HFET。我们的hemt处理方案专注于控制状态密度，在2℃时引入最小缺陷。

正常的开/关操作是指当施加在栅极上的电压为0V时，2DEG通道是否能够从源极传导电流到漏极。2DEG通道如下所示。

为了阻止电流从源极流向漏极，电子的集中必须在2DEG中局部中断。2DEG沟道是由GaN和AlGaN之间的带隙和极化差异造成的。此外，由于氮化镓的压电特性，两层界面上由于晶格失配而产生的机械变形会产生额外的极化。

为了局部抑制2DEG，一种流行的技术是凹门。因此，在肖特基栅极下面的耗尽区更接近2DEG，从而降低了电子的浓度。其他技术也在开发中，以实现正常关闭操作。

在D模式AlGaN/GaN HEMTs中生成2DEG

来源:苏黎世联邦理工学院

工艺专业知识，证明优异的表面粗糙度，低损伤和优化的蚀刻率。

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各向异性剖面是在竞争性蚀刻速率下实现的。

工艺已被优化，以提供最小的破坏晶体结构。这种技术允许极其精确地控制蚀刻深度，具有极好的表面粗糙度和平滑效果。

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