砷化铝镓

砷化铝镓(AlGaAs)常用与砷化镓(GaAs)在光电子器件如vcsel中形成反射镜。它也是多量子阱(mqw)的一部分，这是许多设备性能的关键。AlGaAs可干蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)，活性离子蚀刻(RIE)或离子束蚀刻．蚀刻过程可以选择性或非选择性GaAs取决于要求。

在高刻蚀速率下，具有低特征脚和光滑的蚀刻表面的优秀轮廓。

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GaAs/AlGaAs可以使用活性离子蚀刻(RIE)的过程。极好的外形，低特征脚和光滑的蚀刻表面。

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GaAs/AlGaAs多层蚀刻

GaAs可以被蚀刻活性离子束腐蚀(RIBE)过程的技术。

具有竞争力的蚀刻速率，选择性和轮廓。

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