什么是2D材料？

PECVD石墨烯"

使用等离子体增强化学气相沉积在介电衬底上直接生长纳米晶石墨烯。

• 温度> 900°C

2D异质结构

二维二硫化钼(MoS)的原位生长₂）石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体(ICP) CVD系统，该系统配备前驱体蒸汽输送模块，用于生长二维层和石墨烯、MoS等材料的异质结构₂，WS₂等。

这有三个步骤:

• 步骤1:在Cu上生长石墨烯
• 步骤2：石墨烯从Cu到sio2的转移₂
• 步骤3：生长MoS₂转移到SiO上的石墨烯₂
  
  

工艺特点：

• 温度> 900°C
• 单层MoS的形成₂拉曼光谱证实
• 沉积时间对于保证完整的MoS单分子层至关重要₂形成
• MOS的温度₂石墨烯的沉积及其质量对石墨烯在MoS过程中的稳定性至关重要₂过程

垂直石墨烯

• 温度600°C-900°C
• 负载锁定系统提供更高的吞吐量，因为交换样品不需要冷却生长室
• 该工艺需要吹扫气体
• 成核取决于底层衬底和碳源的组合（Carbon，2013，第58卷，第59-65页）

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