白皮书
无损电描述等离子体原子层沉积锡使用太赫兹光谱在200 mm晶圆

氮化钛(锡)作为金属栅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,它具有低电阻率和兼容门电介质。¹锡也沉积耐磨涂层,并对铜扩散阻挡层由于其化学和热稳定性。²传统上锡是使用物理汽相沉积技术沉积遭受贫困一步覆盖率深接触和通过战壕由于阴影的影响特别是高纵横比的结构。

原子层沉积(ALD)是a - level的薄膜沉积技术可以控制膜厚,良好的均匀性,保形涂层高纵横比的特性。薄膜的沉积锡等ALD据报道使用各种前兆titaniumtetrachloride (TiCl₄),³和tetrakis(二甲胺基)钛(Ti (N (CH₃)₂)₄TDMAT)。^{2、4、5所示}

然而,优化电影增长和所需的电特性往往和他们千篇一律。理想情况下,非破坏性性格化的厚度和电沉积均匀覆盖整个表面的可以做,以确保最后一部电影的质量。本白皮书将演示一个无损电描述等离子体原子层沉积锡使用太赫兹光谱在200 mm晶圆。

作者

拉维博士他
战略研发市场,牛津仪器等离子体技术狗万正网地址

以色列Arnedo博士
太赫兹技术主任das-Nano