白皮书
InP激光二极管器件生产:DFB光栅刻蚀，实现最佳性能

InP具有较宽的带隙和较高的电子迁移率，是制造光电子器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，这一领域正在迅速扩展。

InP使得能够在高频率下工作的组件能够获得更多的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了引人注目的优势，提供了卓越的功能，具有竞争力的价格。当设计和制造得到优化时，InP激光器可以在宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。此外，1100 - 2000 nm的波长范围是光纤通信的最佳波长范围。因此，为InP激光器的生产建立成本效益高的处理策略直接支持通信的进步，以支持不断增长的数据传输需求。

在这篇白皮书中，我们研究了等离子体加工技术在InP激光二极管制造中的作用，重点介绍了电感技术的相对优点
耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)的InP台面。主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地应用于组合，以有效地制造高性能激光器。

作者

马克Dineen博士
牛津仪器等离子技术市场部经理狗万正网地址