白皮书
磷化铟（InP）激光二极管器件生产：实现最佳性能的等离子体沉积

InP具有较宽的带隙和较高的电子迁移率，是制造光电子器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，这一领域正在迅速扩展。InP使得能够在高频率下工作的组件能够获得更多的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了引人注目的优势，提供了卓越的功能，具有竞争力的价格。当设计和制造得到优化时，InP激光器可以在宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。

此外，1100 - 2000nm的波长范围是光纤通信的最佳波长范围。因此，为InP激光器的生产建立具有成本效益的处理战略直接支持通信的进步，以支持不断增长的数据传输需求。

在这篇白皮书中，我们研究了等离子体加工技术在InP激光二极管制造中的作用，重点讨论了电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)和等离子体增强CVD (PECVD)的相对优点。主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地应用于组合，以有效地制造高性能激光器。

作者

马克·迪宁博士
牛津仪器等离子技术市场部经理狗万正网地址