白皮书
在SiC射频器件上实现高性能GaN的基本步骤

在SiC射频器件上实现高性能GaN的基本步骤

SiC射频器件上的GaN对于实现当今通信所需的高效高频器件变得越来越重要。AlGaN/GaN 2DEG的高电子迁移率可以实现快速开关时间和低功率损耗。建造这些设备需要精确控制等离子体处理，如果没有这些知识，设备的寿命和性能将受到损害。狗万正网地址牛津仪器等离子技术通过先进的技术和工艺知识提供解决方案。

氮化镓基射频器件比其他材料具有许多优点，如开关速度和功率密度。氮化镓具有宽带隙、高电子迁移率、高导热系数和高击穿电压等材料特性，是高功率高频器件的良好性能选择。然而，原生GaN基板非常昂贵，而且由于技术障碍，在可预见的未来可能仍将如此。目前用于GaN射频的衬底选择在Si和SiC之间。

作者

马克Dineen博士
牛津仪器等离子技术技术营销经理狗万正网地址