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网络研讨会
使SiC革命:等离子体处理获得更好的性能

2019年2月20日下午3点(GMT)


关于这个网络研讨会

我们开发了一套创新的等离子体工艺解决方案,旨在实现最大碳化硅(SIC)器件性能。

在本次网络研讨会中,您将学习关于等离子蚀刻和沉积如何在制作优秀器件中发挥重要作用的五大技巧:

  • 使用等离子体蚀刻的表面制备如何帮助种植高质量的装置层
  • 高密度掩模用PECVD沉积和蚀刻
  • 采用高刻蚀速率刻蚀台地和沟槽,采用高密度等离子体刻蚀,实现高通量和低COO
  • 了解蚀刻剖面如何发挥重要作用
  • 沉积阻挡层以改善界面,提高器件效率
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马克Dineen博士

马克Dineen博士
技术营销经理

Mark Dineen博士拥有超过20年的等离子加工经验。他最近的工作包括将这些知识应用于从半导体激光器到基于GaN的RF器件的各种设备。

Mark现在是一名经验丰富的技术营销经理,并展示了传播复杂的技术思想和科学概念的历史,以改变受众。这些技术包括ALD,ALE,CVD,ICP,PECVD和RIE等离子处理,并涵盖这些技术如何为客户提供设备解决方案。

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