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网络研讨会
启用SiC革命:等离子处理更好的性能


简介

我们开发了一套创新的等离子体工艺解决方案,旨在实现最大的碳化硅(SiC)设备性能。

在本次网络研讨会中,您将了解我们的五大提示,了解等离子体蚀刻和沉积如何在制造伟大的设备中发挥重要作用:

  • 如何使用等离子体蚀刻的表面制备来帮助生长高质量的器件层
  • 高密度掩模用PECVD沉积和蚀刻
  • 利用高蚀刻速率蚀刻台面和沟高密度等离子体蚀刻高通量和低COO
  • 了解蚀刻轮廓如何发挥重要作用
  • 沉积阻挡层,改善界面,提高设备效率

你想知道的关于SiC等离子工艺解决方案,但又不敢问的一切!

问题吗?今天就联系我们。

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会见主讲人

Mark Dineen博士

Mark Dineen博士
牛津仪器等离子技术技术营销经理狗万正网地址

Mark Dineen博士拥有超过20年的血浆加工经验。他最近的工作包括将这一知识应用到从半导体激光器到gan基射频器件的广泛设备中。

Mark现在是一名经验丰富的技术营销经理,有向不同受众传播复杂技术思想和科学概念的经验。这些技术包括ALD, ALE, CVD, ICP, PECVD和RIE等离子体处理,并涵盖了如何为我们的客户提供设备解决方案。

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