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新的GaN电力电子产品正在开发中，用于功率转换和传输。在电动和混合动力电动汽车(EV和HEV)等电动交通工具中，这些设备正变得越来越重要，设备的成本和效率对它们的成功至关重要。
在本次网络研讨会上，Aileen O'Mahony博士讨论了GaN HEMT器件的最佳ALD解决方案。我们将演示如何实现高薄膜质量和低接口缺陷密度所需的提供最佳GaN器件性能，以及如何实现以下:
Aileen O 'Mahony博士拥有科克大学(University College Cork)微电子应用原子层沉积(ALD)领域的化学博士学位。万博电脑网页版登录Aileen曾在美国和英国从事ald功能性产品商业化的工业驱动工艺开发。
她现在专注于推进原子尺度加工产品解决方案。她是20多篇出版物的作者和合著者，并在许多国际会议上发表过演讲。
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