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磷化铟(InP)是一种直接带隙III-V型化合物半导体，具有较高的电子迁移率。这使它成为光电器件的理想选择，如高频激光二极管(LD)，光电二极管，微透镜等。
为了在制造过程中控制这些材料的临界尺寸，必须实现垂直轮廓，低设备损伤和优良的侧壁表面质量，以获得理想的结果。
在本次网络研讨会上，Mark Dineen博士将专注于InP和相关材料的等离子蚀刻解决方案，分析InP的两种蚀刻化学物质CH4/ Cl2/小时2和Cl2基于“增大化现实”技术。此外，他还将演示成功制造各种光电子器件的工艺要求:
Mark Dineen博士拥有超过20年的血浆加工经验。他最近的工作包括将这一知识应用到从半导体激光器到gan基射频器件的广泛设备中。
Mark现在是一名经验丰富的技术营销经理，有向不同受众传播复杂技术思想和科学概念的经验。这些技术包括ALD, ALE, CVD, ICP, PECVD和RIE等离子体处理，并涵盖了如何为我们的客户提供设备解决方案。
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