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磷酸二氮（INP）是具有高电子迁移率的直接带隙III-V化合物半导体。这使得它非常适合光电设备，例如高频激光二极管（LD），光电二极管，微胶片等。
为了在制造过程中控制这些材料的临界尺寸，必须实现垂直轮廓，低设备损伤和侧壁的出色表面质量，以获得理想的结果。
在本网络研讨会中，Mark Dineen博士将专注于INP和相关材料的等离子蚀刻溶液，分析两种INP蚀刻化学，CH4/cl2/H2和Cl2/ar。此外，他将证明成功制造各种光电设备的过程要求：
Mark Dineen博士拥有20多年的血浆处理经验。他最近的工作包括将这些知识应用于从半导体激光器到基于GAN的RF设备的各种设备。
现在，马克（Mark）是一位经验丰富的技术营销经理，拥有向各种受众传达复杂技术思想和科学概念的历史。这些技术包括ALD，ALE，CVD，ICP，PECVD和RIE等离子体处理，并介绍如何为客户提供设备解决方案。
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