新的GaN电力电子器件正在开发用于电力转换和传输。在电动和混合动力电动汽车(EV和HEV)等电动交通工具中,这些设备变得越来越重要,设备成本和效率是其成功的关键。
在本次网络研讨会上,Aileen O'Mahony博士讨论了GaN HEMT器件的最佳ALD解决方案。我们将演示如何实现提供最佳GaN器件性能所需的高薄膜质量和低界面缺陷密度,以及如何实现以下目标:
Aileen O 'Mahony博士拥有科克大学(University College Cork)微电子应用领域的原子层沉积(ALD)化学博士学位。万博电脑网页版登录Aileen曾在美国和英国从事ald功能产品商业化的行业驱动流程开发工作。
她现在专注于推进原子尺度加工产品解决方案。她是20多部出版物的作者和合著者,并在众多国际会议上发表过演讲。