2021年7月22日下午3时(英国夏令时)

关于网络研讨会

等离子体过程对于新兴的硅基微机电系统(微机电系统)、纳米机电系统(NEMS)及先进包装(美联社)应万博电脑网页版登录用程序。通常，每个设备都有一个定制的工艺流程，但可以发现协同效应，因为大多数是使用2.5D方法生产的，包括顺序沉积，光刻和蚀刻循环。

硅蚀刻是大多数MEMS和NEMS器件的核心。在本次网络研讨会中，我们将讨论每种深硅蚀刻技术的优点，包括博世，低温和混合气体的过程以及它们在新兴设备上的应用。

在制造过程中，等离子体工艺对于实现可重复的干沉积和蚀刻步骤至关重要。等离子体工艺越来越多地应用于纳米压印和粘接工艺步骤。

大空腔也被蚀刻以实现多晶片器件，其中通过硅孔(tsv)正在成为一种关键的互连技术。将原子层沉积(ALD)集成到MEMS中变得越来越普遍，而NEMS器件则利用等离子体过程和材料的新组合来实现新的功能。集成硅光子技术在绝缘体上硅(SOI)材料的数据通信、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)以及量子计算领域得到了广泛的应用。