过程解决方案GaN和碳化硅电力半导体器件

宽的带隙功率半导体器件过程解决方案

的潜在能源效率储蓄宽的带隙功率半导体器件的采用基于氮化镓或碳化硅导致重大的研究和开发,现在开始意识到在商用设备。

许多技术难题被解决,但进一步的研究仍然是持续到更高的性能成本更低的设备。

谈判:

• 等离子体刻蚀和沉积过程对氮化镓和碳化硅电力半导体器件
  发言人:克里斯•霍德森牛津仪器等离子狗万正网地址体技术
• 硅氮化镓功率电子产品兼容
  发言人:格拉斯哥大学的Iain Thayne教授

今天第一个地址的过程解决方案,第二个演讲将概述研究解决下一代设备的挑战。

看现在

演讲者

克里斯·霍德森、产品经理、电力半导体和ICT设备在牛津仪器等离子体技术狗万正网地址

伊恩•Thayne教授教授,超快的系统(电子和纳米工程),格拉斯哥大学

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