MEMS和纳米技术的融合:使未来一代的NEMS器件成为可能

由MIG主办的免费网络研讨会:MEMS和纳米技术的融合:使未来一代的NEMS设备成为可能

摘要

纳米技术与已有的MEMS制造技术的融合，以及新功能材料的采用，为纳米机电系统(NEMS)的发展提供了重大机遇。

在本报告中，我们将介绍等离子体处理的新方法如何使这些进展成为可能。硅的深度反应刻蚀(DRIE)是许多MEMS器件制造中公认的关键工艺步骤。然而，博世工艺的增强和实用的低温蚀刻技术的可用性正在产生工艺能力的前所未有的提高，包括具有优越表面粗糙度和尺寸控制的纳米级蚀刻。

尽管硅工艺技术在当今MEMS器件中的重要性，但未来几代MEMS和NEMS器件将越来越多地采用其他材料，包括聚合物、金属和强粘结材料，如石英、SiC、PZT和AlN等。许多这类材料需要独特的工艺技术，使用等离子体源，能够在非常低的工艺压力下运行高离子密度。我们将描述如何使用为此目的专门开发的ICP系统有效地实现这一目标。

最后，通过ICP-PECVD、等离子体增强ALD和一维和二维材料的高温生长/等离子体沉积等沉积技术，纳米级蚀刻能力的这些进步得到了补充。这些工艺能力允许低温沉积高质量的保形薄膜，并有机会将新型功能材料集成到NEMS器件中。

MEMs和纳米技术交叉的一个具体例子是在NEMS化学和质量传感元件中利用石墨烯和碳纳米管的大表面积体积比。但是，这些好处的商业利用将取决于开发有效的综合技术。本文总结和讨论了该行业面临的这些挑战。

关注需求

演讲者

大卫·海恩斯博士
全球外勤行动总监
狗万正网地址牛津仪器等离子体技术

由MEMS产业集团主办