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宽禁带半导体器件的生产力量

采用增加可再生能源和电动汽车的前景越来越近推动电力需求半导体组件。直到现在设备技术大多是基于硅,然而GaN和碳化硅等宽的带隙材料提供的可能性提高效率,减少能量损失在电力设备。

结合我们独特的历史提供加工设备为大功率硅设备制造与我们的生产设备和丰富的经验过程基于氮化镓的子设备制造,我们产生了世界领先的宽带解决方案差距电力设备制造。

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