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由于倾斜结构，该工艺高度受到离子偏转的影响，导致不对称蚀刻，因此失去对角度的控制。然而，并不是所有的技术都是一样的。许多基于等离子体技术的技术要么复杂、昂贵，要么不能保证良好的蚀刻速度和大面积的轮廓均匀性。离子束刻蚀是提供物化刻蚀方向性的最佳方法。离子束处理在比其他等离子体技术低得多的气体压力下进行。这允许更少的气体散射和更好的剖面控制。
特性的周期性取决于应用程序。对于AR耳机，波导组合器的典型周期约为λ/2到λ，这导致沟槽约为100到200纳米。这些尺寸要求使用更精细的光刻设备，如电子束光刻或纳米压印。如果没有明确定义的掩模结构，缺陷可能会在过程中转移到特征上。因此，在蚀刻之前表征掩模的轮廓是至关重要的。常见的扫描电镜表征可用于掩模成像，但评估必须在晶圆的整个表面上进行。一旦掩模工艺被很好地理解和控制，就可以在倾斜蚀刻过程中达到最佳产量。
晶圆上的目标均匀性是由应用要求定义的，包括晶圆上的模具尺寸和模具数量。然而，根据蚀刻反应器的设计，与目标均匀性匹配的区域可能不对应于完整的晶圆尺寸。边缘排除可达40mm。较大的边缘排斥是由于离子分布不均匀造成的。当以一定角度干刻蚀时，离离子源越近的区域，刻蚀深度越高。设备制造商可以调整离子分布或使用离子阴影来补偿不均匀的离子分布。可以对这两种方法进行微调，以最大限度地提高过程的一致性。
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